Samsung Memorie MZ-V9S1T0BW 990 EVO Plus SSD Interno da 1TB PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, memoria progettata per professionisti e giocatori occasionali, compatibile con PC

Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

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Samsung Memorie MZ-V9S1T0BW 990 EVO Plus SSD Interno da 1TB PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, memoria progettata per professionisti e giocatori occasionali, compatibile con PC

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Scheda tecnica

Condizioni ambientali

Intervallo temperatura di funzionamento 0 - 70 °C

Dimensioni e peso

Peso 9 g
Larghezza 80,2 mm
Altezza 22,1 mm
Profondità 2,38 mm

Caratteristiche

Dimensione SSD M.2
Algoritmi di sicurezza supportati 256-bit AES
Versione di NVMe 2.0
Capacità SSD 1 TB
Tempo medio tra guasti (MTBF) 1500000 h
Supporto S.M.A.R.T. Sì
Supporto TRIM Sì
Scrittura casuale (4KB) 1350000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Lettura casuale (4KB) 850000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Velocità di scrittura 6300 MB/s
Velocità di lettura 7150 MB/s
Dimensioni dell'unità SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
criptaggio hardware Sì
Componente per PC
Tipo memoria V-NAND TLC
NVMe Sì
Interfaccia PCI Express 4.0

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SSD 990 EVO Plus offre una velocità di lettura/scrittura sequenziale fino a 7.250/6.300 MB/s Compatibile con PC. Progettata per i carichi di lavoro più complessi Fino a 4TB di spazio per garantire ottime velocità di caricamento delle applicazioni, navigazione in Internet e tempi di rendering accelerati Il controller rivestito in nichel aumenta del 73% i MB/s per watt a disposizione, mantenendo la stessa potenza ed evitando il surriscaldamento Contenuto: 1x Samsung SSD Interno da 1 TB, Colore: Nero, Istruzioni di montaggio, Manuale utente
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