Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

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Samsung Memorie MZ-V9S4T0BW 990 EVO Plus SSD Interno da 4TB, PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, memoria progettata per professionisti e giocatori occasionali, compatibile con PC

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Scheda tecnica

Condizioni ambientali

Intervallo temperatura di funzionamento	0 - 70 °C

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Dimensioni e peso

Peso	9 g
Larghezza	80,2 mm
Altezza	22,1 mm
Profondità	2,38 mm

Caratteristiche

Dimensione SSD	M.2
Algoritmi di sicurezza supportati	256-bit AES
Versione di NVMe	2.0
Capacità SSD	4 TB
Tempo medio tra guasti (MTBF)	1500000 h
Supporto S.M.A.R.T.	Sì
Supporto TRIM	Sì
Scrittura casuale (4KB)	1350000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Lettura casuale (4KB)	850000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Velocità di scrittura	6300 MB/s
Velocità di lettura	7150 MB/s
Dimensioni dell'unità SSD M.2	2280 (22 x 80 mm)
criptaggio hardware	Sì
Componente per	PC
Tipo memoria	V-NAND TLC
NVMe	Sì
Interfaccia	PCI Express 4.0

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